发明申请
US20110148287A1 DEUTERATED ZIRCONIUM COMPOUND FOR ELECTRONIC APPLICATIONS
失效
用于电子应用的DEUTERATED ZIRCONIUM化合物
- 专利标题： DEUTERATED ZIRCONIUM COMPOUND FOR ELECTRONIC APPLICATIONS
- 专利标题（中）： 用于电子应用的DEUTERATED ZIRCONIUM化合物
-
申请号： US12643576申请日： 2009-12-21
-
公开(公告)号： US20110148287A1公开(公告)日： 2011-06-23
- 发明人: Adam Fennimore , Weiying Gao
- 申请人： Adam Fennimore , Weiying Gao
- 申请人地址： US DE Wilmington
- 专利权人： E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
- 当前专利权人： E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
- 当前专利权人地址： US DE Wilmington
- 主分类号： H01J1/63
- IPC分类号： H01J1/63 ; C07F7/00
摘要：
This invention relates to deuterated electron transfer compounds useful in electronic applications. It also relates to electronic devices in which the electron transfer layer includes zirconium compounds with at least one of the aryl compounds containing some deuteration.
公开/授权文献
- US08465849B2 Deuterated zirconium compound for electronic applications 公开/授权日：2013-06-18
信息查询
