Chemical Mechanical Polishing Composition for Copper Comprising Zeolite

发明申请

US20100015807A1 Chemical Mechanical Polishing Composition for Copper Comprising Zeolite 审中-公开

标题翻译：包含沸石的铜的化学机械抛光组合物

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专利标题： Chemical Mechanical Polishing Composition for Copper Comprising Zeolite
专利标题（中）： 包含沸石的铜的化学机械抛光组合物
申请号： US12519940

申请日： 2007-12-20
公开(公告)号： US20100015807A1

公开(公告)日： 2010-01-21
发明人: Seok-Ju Kim , Hyu-Bum Park , Eun-Il Jeong
申请人： Seok-Ju Kim , Hyu-Bum Park , Eun-Il Jeong
申请人地址： KR Seongnam-si
专利权人： TECHNO SEMICHEM CO., LTD.
当前专利权人： TECHNO SEMICHEM CO., LTD.
当前专利权人地址： KR Seongnam-si
优先权： KR10-2006-0133143 20061222; KR10-2007-0074841 20070726
国际申请： PCT/KR2007/006706 WO 20071220
主分类号： H01L21/302
IPC分类号： H01L21/302

Chemical Mechanical Polishing Composition for Copper Comprising Zeolite

摘要：

The present invention relates to a CMP slurry composition for polishing a copper film in a semiconductor device fabricating process. The CMP composition for polishing a substrate comprising copper comprises zeolite, an oxidizer and a complexing agent and a content of the complexing agent is 0.01˜0.8 weight % with respect to an entire weight of the polishing composition.

摘要（中）：

本发明涉及一种用于在半导体器件制造工艺中抛光铜膜的CMP浆料组合物。用于研磨包含铜的基材的CMP组合物包括沸石，氧化剂和络合剂，并且络合剂的含量相对于抛光组合物的整个重量为0.01〜0.8重量％。

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割