- 专利标题： Method of manufacturing ruthenium-containing thin film and ruthenium-containing thin film manufactured therefrom
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申请号： US16760417申请日： 2018-11-01
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公开(公告)号： US11827650B2公开(公告)日： 2023-11-28
- 发明人: Myong Woon Kim , Sang Ick Lee , Sung Woo Cho , Mi Jeong Han , Haeng Don Lim
- 申请人： DNF CO., LTD.
- 申请人地址： KR Daejeon
- 专利权人： DNF CO., LTD.
- 当前专利权人： DNF CO., LTD.
- 当前专利权人地址： KR Daejeon
- 代理机构： McCoy Russell LLP
- 优先权： KR 20170144420 2017.11.01 KR 20180131423 2018.10.31
- 国际申请： PCT/KR2018/013160 2018.11.01
- 国际公布： WO2019/088722A 2019.05.09
- 进入国家日期： 2020-04-29
- 主分类号： C07F15/00
- IPC分类号： C07F15/00 ; C23C16/18 ; H01L21/02 ; H01L21/3205 ; C23C16/455 ; C23C16/50 ; C23C16/56 ; H01L21/285 ; H01L21/768
摘要：
Provided are a method of manufacturing a ruthenium-containing thin film and a ruthenium-containing thin film manufactured therefrom, and the method of manufacturing a ruthenium-containing thin film of the present invention uses a ruthenium(0)-based hydrocarbon compound and specific reaction gas, whereby a high-purity thin film may be easily manufactured by a simple process.
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