- 专利标题： Zinc tellurium selenium based quantum dot
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申请号： US16851509申请日： 2020-04-17
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公开(公告)号： US11572504B2公开(公告)日： 2023-02-07
- 发明人: Ji-Yeong Kim , Soo Kyung Kwon , Seon-Yeong Kim , Yong Wook Kim , Eun Joo Jang
- 申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 申请人地址： KR Suwon-si
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si
- 代理机构： Cantor Colburn LLP
- 优先权： KR10-2019-0045759 20190418
- 主分类号： C09K11/54
- IPC分类号： C09K11/54 ; C09K11/64 ; C09K11/02 ; C09K11/57 ; C09K11/58 ; C09K11/88 ; B82Y20/00
摘要：
A core-shell quantum dot comprising zinc, a core comprising a first semiconductor nanocrystal material; and a semiconductor nanocrystal shell disposed on the core, wherein the core-shell quantum dot does not comprise cadmium, and does comprise zinc, tellurium, selenium, and aluminum.
公开/授权文献
- US20200332186A1 ZINC TELLURIUM SELENIUM BASED QUANTUM DOT 公开/授权日：2020-10-22
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