发明授权
- 专利标题： Semiconductor on insulator structure comprising a buried high resistivity layer
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申请号： US16721061申请日： 2019-12-19
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公开(公告)号： US11508612B2公开(公告)日： 2022-11-22
- 发明人: Igor Peidous , Andrew M Jones , Srikanth Kommu , Horacio Josue Mendez
- 申请人： GlobalWafers Co., Ltd.
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： GlobalWafers Co., Ltd.
- 当前专利权人： GlobalWafers Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 代理机构： Armstrong Teasdale LLP
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/84 ; H01L21/762 ; H01L23/522 ; H01L27/12 ; H01L29/04 ; H01L29/78
摘要：
A cost effective process flow for manufacturing semiconductor on insulator structures is parallel is provided. Each of the multiple semiconductor-on-insulator composite structures prepared in parallel comprises a charge trapping layer (CTL).
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