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发明授权
US11127894B2 Spin-orbit-torque magnetization rotating element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory 有权

  • 专利标题： Spin-orbit-torque magnetization rotating element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory
  • 申请号： US16349537
    申请日： 2018-10-30
  • 公开(公告)号： US11127894B2
    公开(公告)日： 2021-09-21
  • 发明人: Katsuyuki Nakada , Yohei Shiokawa
  • 申请人： TDK CORPORATION
  • 申请人地址： JP Tokyo
  • 专利权人： TDK CORPORATION
  • 当前专利权人： TDK CORPORATION
  • 当前专利权人地址： JP Tokyo
  • 代理机构： Oliff PLC
  • 优先权： JPJP2018-029737 20180222
  • 国际申请： PCT/JP2018/040221 WO 20181030
  • 国际公布： WO2019/163203 WO 20190829
  • 主分类号： H01L43/02
  • IPC分类号： H01L43/02 ;  H01L27/22
Spin-orbit-torque magnetization rotating element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and magnetic memory
摘要：
This spin-orbit-torque magnetization rotating element includes a spin-orbit torque wiring extending in a first direction and a first ferromagnetic layer laminated on the spin-orbit torque wiring, wherein the spin-orbit torque wiring includes a compound represented by XYZ or X2YZ with respect to a stoichiometric composition.
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