- 专利标题： Bulk acoustic wave resonator
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申请号： US15827040申请日： 2017-11-30
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公开(公告)号： US10991872B2公开(公告)日： 2021-04-27
- 发明人: Jea Shik Shin , Duck Hwan Kim , Chul Soo Kim , Ho Soo Park , Sang Uk Son , In Sang Song , Moon Chul Lee , Cui Jing
- 申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 申请人地址： KR Suwon-si
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si
- 代理机构： NSIP Law
- 优先权： KR10-2012-0005760 20120118
- 主分类号： H01L41/107
- IPC分类号： H01L41/107 ; H03H9/17 ; H03H9/02
摘要：
Provided is a bulk acoustic wave resonator (BAWR). The BAWR may include an air cavity disposed on a substrate, a bulk acoustic wave resonant unit including a piezoelectric layer, and a reflective layer to reflect a wave of a resonant frequency that is generated from the piezoelectric layer.
公开/授权文献
- US20180083182A1 BULK ACOUSTIC WAVE RESONATOR 公开/授权日：2018-03-22
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