- 专利标题： Polycrystalline dielectric thin film and capacitor element
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申请号： US16069095申请日： 2017-02-01
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公开(公告)号： US10707018B2公开(公告)日： 2020-07-07
- 发明人: Kumiko Yamazaki , Hiroshi Chihara , Yuki Nagamine , Junichi Yamazaki , Yuji Umeda
- 申请人： TDK CORPORATION
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： TDK CORPORATION
- 当前专利权人： TDK CORPORATION
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Oliff PLC
- 优先权： com.zzzhc.datahub.patent.etl.us.BibliographicData$PriorityClaim@23389096
- 国际申请： PCT/JP2017/003579 WO 20170201
- 国际公布： WO2017/135296 WO 20170810
- 主分类号： H01G4/08
- IPC分类号： H01G4/08 ; H01G4/33 ; C23C14/00 ; C23C14/06 ; H01B3/00 ; C01B21/082 ; C30B29/10 ; C23C16/30
摘要：
A polycrystalline dielectric thin film and a capacitor element have a large relative dielectric constant. The polycrystalline dielectric thin film has a perovskite oxynitride as a principal component. The perovskite oxynitride is represented by compositional formula Aa1Bb1OoNn (a1+b1+o+n=5), and the a-axis length of the crystal lattice of the perovskite oxynitride is larger than a theoretical value.
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