- 专利标题： Resist composition and patterning process
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申请号： US15251445申请日： 2016-08-30
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公开(公告)号： US10126647B2公开(公告)日： 2018-11-13
- 发明人: Jun Hatakeyama , Masaki Ohashi
- 申请人： SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 当前专利权人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Westerman, Hattori, Daniels & Adrian, LLP
- 优先权： JP2015-181793 20150915
- 主分类号： G03F7/004
- IPC分类号： G03F7/004 ; G03F7/38 ; G03F7/039 ; G03F7/038 ; G03F7/16 ; G03F7/20 ; G03F7/32 ; C07C225/02 ; C07C211/33 ; C07C229/38 ; C07C225/00 ; C07C229/02 ; C07C211/43 ; C07C219/02 ; C07C219/24 ; C07C229/46 ; C08F212/02 ; C08F220/24 ; C08F220/22 ; C08F220/38 ; C08F228/02 ; C08F220/30 ; C08F220/28
摘要：
A resist composition comprising a base polymer and a sulfonium salt of amino-containing carboxylic acid offers dimensional stability on PPD and a satisfactory resolution.
公开/授权文献
- US20170075217A1 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 公开/授权日：2017-03-16
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