发明授权
- 专利标题: 用于高速半导体存储器装置的延迟锁定环
- 专利标题(英): Delay locked loop for high speed semiconductor memory device
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申请号: CN200610141208.0申请日: 2006-09-28
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公开(公告)号: CN1945732B公开(公告)日: 2010-05-12
- 发明人: 辛范柱
- 申请人: 海力士半导体有限公司
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人: 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 邵亚丽; 李晓舒
- 优先权: 90842/05 2005.09.28 KR; 56408/06 2006.06.22 KR
- 主分类号: G11C7/22
- IPC分类号: G11C7/22 ; G11C11/4076 ; G11C11/406
摘要:
公开了一种延迟锁定环,支持在半导体存储器装置中的操作频率的增加。在延迟锁定环中所使用的一种输出驱动器包括:第一驱动块,用以从所述延迟锁定环接收输出,以产生用以输出对应于一读取指令的读取数据的第一DLL时钟;以及第二驱动块,用以从所述延迟锁定环接收输出,以产生用以在写入操作期间减少电流消耗的第二DLL时钟,其中所述第一驱动块具有比所述第二驱动块大的延迟量。
公开/授权文献
- CN1945732A 用于高速半导体存储器装置的延迟锁定环 公开/授权日:2007-04-11