本发明公开一种屏蔽式高压集成电路，其包括：驱动高压晶体管栅极的驱动装置；控制栅极驱动装置的控制装置；高位转换装置和低位转换装置，其中：栅极驱动装置被环形的高电压结端点结构HVJT所围绕；高位转换装置位于HVJT环形外面，低位转换装置位于HVJT环形里面。本发明还公开了一种方法和装置，用于防护高压半导体器件以及高电压结端点结构的电场分布不受上方的连接线的影响。根据本发明的所提出的方法和装置可以防止器件击穿电压的下降。同时，减小了电路面积，并且消除或最小化了传统技术所固有的寄生电阻。