本发明揭示一种用于STI CMP(浅槽隔离化学机械抛光)制程的抛光浆料，其为制造256M(mega)D-RAM或更大的超高集成半导体(设计标准为小于或等于0.13μm)所必需，该抛光浆料可以较高移除速率对晶圆进行抛光，与氮化物相比而言，该抛光浆料具有优异的氧化物移除选择性。该抛光浆料可应用于制造超高集成半导体制程中所需的各种图案，因此可确保优异的移除速率、移除选择性和晶圆内不均匀性(within-wafer-nonuniformity，WIWNU)，其表明移除均匀性，并且可将微划痕的发生最小化。