发明授权
- 专利标题: 磁控溅镀装置
- 专利标题(英): Magnetic control sputtering device
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申请号: CN200510092825.1申请日: 2005-08-22
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公开(公告)号: CN1737190B公开(公告)日: 2012-05-23
- 发明人: 马克斯·K.·太尔西 , 理查德·I.·塞登 , 乔治·J.·欧肯法思 , 杰里米·贺思 , 罗伯特·E.·克林格
- 申请人: JDS尤尼弗思公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: JDS尤尼弗思公司
- 当前专利权人: 唯亚威通讯技术有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 广州华进联合专利商标代理有限公司
- 代理商 郑小粤
- 优先权: 60/603,211 2004.08.20 US; 11/074,249 2005.03.07 US; 11/177,465 2005.07.08 US
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35
摘要:
本发明涉及以高的生产速度将材料淀积在衬底上的磁控溅镀装置和技术,其中所淀积的膜具有预定的厚度分布,且所述装置可在非常长的时间段连续地并可重复地运行。本发明已通过减少周期时间实现了产量的增加。提高的镀膜速度通过将行星驱动系统与大的阴极耦合来实现。所述阴极直径大于行星的直径且小于所述行星直径的两倍。较低的缺陷率通过所述阴极的较低功率密度实现,所述阴极的较低功率降低电弧,且通过阴极到行星的几何结构将溢流降到最小,而无需使用掩模。
公开/授权文献
- CN1737190A 磁控溅镀装置 公开/授权日:2006-02-22
IPC分类: