发明授权
- 专利标题: 具有减小的翻转磁场的磁致电阻随机存取存储器
- 专利标题(英): Magnetoresistive random access memory with reduced switching field
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申请号: CN03814154.X申请日: 2003-06-04
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公开(公告)号: CN1729537B公开(公告)日: 2010-04-28
- 发明人: 布莱德雷·N·恩格尔 , 贾森·阿兰·詹尼斯基 , 尼古拉斯·D·里佐
- 申请人: 艾沃思宾技术公司
- 申请人地址: 美国亚利桑那
- 专利权人: 艾沃思宾技术公司
- 当前专利权人: 艾沃思宾技术公司,申请人
- 当前专利权人地址: 美国亚利桑那
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 付建军
- 优先权: 10/173,907 2002.06.18 US
- 国际申请: PCT/US2003/017522 2003.06.04
- 国际公布: WO2003/107350 EN 2003.12.24
- 进入国家日期: 2004-12-17
- 主分类号: G11C11/15
- IPC分类号: G11C11/15 ; G11C11/16
摘要:
一种磁致电阻隧道结存储单元(10)包括钉扎铁磁性区域(17)、电绝缘材料以及自由铁磁性区域(15),钉扎铁磁性区域具有一个在没有施加磁场时固定在一优选方向上的磁矩向量(47),其中该钉扎铁磁性区域具有磁边缘场(96),电绝缘材料设置在该钉扎铁磁性区域上以形成磁致电阻隧道结(16),以及自由铁磁性区域具有在一位置上取向为平行或反向平行于钉扎铁磁性区域的磁矩向量的磁矩向量(53),其中选择该磁边缘场以获得预想的翻转磁场。
公开/授权文献
- CN1729537A 具有减小的翻转磁场的磁致电阻随机存取存储器 公开/授权日:2006-02-01