Invention Publication
- Patent Title: 致密双平面器件
- Patent Title (English): Dense dual-plane devices
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Application No.: CN200380106298.4Application Date: 2003-12-05
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Publication No.: CN1726595APublication Date: 2006-01-25
- Inventor: E·J·诺瓦克 , B·雷尼
- Applicant: 国际商业机器公司
- Applicant Address: 美国纽约
- Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee: 微软技术许可有限责任公司
- Current Assignee Address: 美国纽约
- Agency: 北京市中咨律师事务所
- Agent 于静; 李峥
- Priority: 10/248,123 2002.12.19 US
- International Application: PCT/US2003/038519 2003.12.05
- International Announcement: WO2004/061972 EN 2004.07.22
- Date entered country: 2005-06-16
- Main IPC: H01L29/76
- IPC: H01L29/76
Abstract:
一种MOS器件，具有形成在衬底(10)上的第一和第二独立半导体管体(40N、40P)。第一独立半导体管体(40N或40P)具有相对于第二独立半导体管体(40P或40N)的第一部分呈非直角、非平行取向的第一部分。所述第一和第二独立半导体管体(40N、40P)的这些部分具有各自的第一和第二结晶取向。第一栅电极(60)以非直角的角度经过所述第一独立半导体管体(40N或40P)的所述第一部分的至少一部分，第二栅电极(60)同样经过第二独立半导体管体(40P或40N)的第一部分。
Public/Granted literature
- CN100505303C 致密双平面器件 Public/Granted day:2009-06-24
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IPC分类:
