发明公开
- 专利标题: 半导体装置
- 专利标题(英): Semiconductor device
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申请号: CN200510073914.1申请日: 2005-05-23
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公开(公告)号: CN1707779A公开(公告)日: 2005-12-14
- 发明人: 福田和彦 , 丰泽健司 , 木户口贵
- 申请人: 夏普株式会社
- 申请人地址: 日本大阪市
- 专利权人: 夏普株式会社
- 当前专利权人: 深圳通锐微电子技术有限公司
- 当前专利权人地址: 日本大阪市
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 郭煜; 庞立志
- 优先权: 152372/04 2004.05.21 JP
- 主分类号: H01L23/12
- IPC分类号: H01L23/12 ; H01L23/498 ; H01L23/28 ; G02F1/133
摘要:
本发明的半导体装置由于具备在基底材料上配置了多个布线的布线基板、在上述布线基板上搭载的半导体元件、包含混合了金属离子结合剂的材料的与布线接触的构件、或者向表面添加了金属离子结合剂的布线,因此能够防止因金属离子从布线析出而导致的迁移发生,能够提供高可靠性的半导体装置。
公开/授权文献
- CN100397625C 半导体装置 公开/授权日:2008-06-25
IPC分类: