发明授权
CN1654230B 以动态组合模式“蘸笔”纳米刻蚀技术制造纳米图形的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 以动态组合模式“蘸笔”纳米刻蚀技术制造纳米图形的方法
- 专利标题(英): Method for manufacturing nanometer pattern by nanometer etching technology dipping in dynamic combination mode
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申请号: CN200410016197.4申请日: 2004-02-10
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公开(公告)号: CN1654230B公开(公告)日: 2010-05-12
- 发明人: 李宾 , 胡钧 , 李民乾 , 张益 , 汪颖
- 申请人: 中国科学院上海应用物理研究所
- 申请人地址: 上海市嘉定区嘉罗公路2019号
- 专利权人: 中国科学院上海应用物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海应用物理研究所
- 当前专利权人地址: 上海市嘉定区嘉罗公路2019号
- 代理机构: 上海智信专利代理有限公司
- 代理商 吴林松
- 主分类号: B05D5/00
- IPC分类号: B05D5/00 ; B44C1/22
摘要:
一种以动态组合模式“蘸笔”纳米刻蚀技术制造纳米图形的方法,采用以下步骤:A、对基底表面进行处理,使其达到原子级的平整;B、对原子力显微镜针尖进行修饰,将针尖直接浸入到蛋白质或DNA或其他感兴趣的溶液中约几分钟后,拿起吹干,备用;C、对环境温度、湿度进行控制;D、制造纳米图形:用修饰后的针尖先在基底表面上扫描成像,选定所需要的区域;用该针尖在选定的区域上制造纳米图形;仍然用此针尖对所制造的纳米图形进行再次扫描成像,检查所制造的图形。弥补了现有技术的不足,不但可实现在柔软的生物大分子表面制造纳米图形的工作,同时也可在其他物体表面制造纳米图形。
公开/授权文献
- CN1654230A 以动态组合模式“蘸笔”纳米刻蚀技术制造纳米图形的方法 公开/授权日:2005-08-17