发明授权
CN1653594B 降低晶片翘曲的装置、系统和方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 降低晶片翘曲的装置、系统和方法
- 专利标题(英): Apparatus, system and method to reduce wafer warpage
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申请号: CN03810826.7申请日: 2003-04-28
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公开(公告)号: CN1653594B公开(公告)日: 2010-05-12
- 发明人: A·小福恩特斯 , R·小阿蒂恩扎 , C·克拉维奥
- 申请人: 英特尔公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 邹光新; 王勇
- 优先权: 10/145,171 2002.05.13 US
- 国际申请: PCT/US2003/013195 2003.04.28
- 国际公布: WO2003/098675 EN 2003.11.27
- 进入国家日期: 2004-11-12
- 主分类号: H01L21/304
- IPC分类号: H01L21/304 ; H01L21/00 ; B24B7/22 ; H01L21/302 ; H01L21/306
摘要:
通常,在背面研磨期间,通过一个带来保护晶片的正面。在背面研磨操作期间静电荷会积聚在该带上。由于变薄的晶片没有足够的刚度抵抗由静电荷积聚产生的弯曲力,所以在背面研磨操作之后,晶片会翘曲。为了减小晶片的翘曲,可以将电离气体引导到晶片和带上,以减少静电荷的积聚。
公开/授权文献
- CN1653594A 降低晶片翘曲的装置、系统和方法 公开/授权日:2005-08-10
IPC分类: