降低晶片翘曲的装置、系统和方法
摘要:
通常,在背面研磨期间,通过一个带来保护晶片的正面。在背面研磨操作期间静电荷会积聚在该带上。由于变薄的晶片没有足够的刚度抵抗由静电荷积聚产生的弯曲力,所以在背面研磨操作之后,晶片会翘曲。为了减小晶片的翘曲,可以将电离气体引导到晶片和带上,以减少静电荷的积聚。
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