一种闪存阵列，其具有被分成连接到字线(12、202、208)的区段的多个双位存储单元(10、210、212、214、216、220、222)以及一对参考单元(218)，此参考单元与各区段逻辑地相关。一种将需要改变的区段或者多个区段字再编程的方法，包括将允许的改变输入到闪存阵列；在各区段中读取受到改变的字或者多个字；对各区段中将受到改变的字或者多个字中的位进行编程；将在受到改变的字或者多个字中的先前受到编程的位更新；将在各区段中改变的字或者多个字中先前受到编程的位更新；将在各区段中剩余字或者多个字中先前受到编程的位更新；以及将在已经被改变的区段中的各对参考单元中先前受到编程的位(10、210、212、214、216、220、222)予以更新。