发明公开
CN1641346A 沉陷铜电极电化学微流控芯片的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 沉陷铜电极电化学微流控芯片的制备方法
- 专利标题(英): Method for preparing electrochemical micro-flor controlled chip of sunk copper electrode
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申请号: CN200410082842.2申请日: 2004-12-01
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公开(公告)号: CN1641346A公开(公告)日: 2005-07-20
- 发明人: 罗怡 , 王晓东 , 刘军山 , 刘冲 , 王立鼎 , 杜立群
- 申请人: 大连理工大学
- 申请人地址: 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
- 专利权人: 大连理工大学
- 当前专利权人: 大连理工大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
- 代理机构: 大连理工大学专利中心
- 代理商 侯明远
- 主分类号: G01N27/327
- IPC分类号: G01N27/327 ; G01N33/50 ; G01N27/30 ; G01N27/416
摘要:
一种沉陷Cu电极电化学微流控芯片的制备方法,属于聚合物芯片制作技术领域和分析检测技术领域,用于电化学微流控芯片的制作。其方法是利用微通道模具热压聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基片获得微通道;微电极模具热压另一片PMMA获得微电极沉陷,在此PMMA上溅射Cu,利用套刻和湿法腐蚀工艺制作出沉陷的Cu微电极;采用热键合的方式将两片PMMA封接,获得沉陷Cu电极电化学微流控芯片。本发明的效果和益处是:采用热压、溅射、套刻和湿法腐蚀的方法获得沉陷的Cu电极,将Cu电极集成于微流控芯片上,提高了芯片制作的成品率,同时采用Cu作为电化学检测的工作电极材料大大降低了芯片成本。此类芯片可广泛应用于生化分析中的糖类检测。
公开/授权文献
- CN100344964C 沉陷铜电极电化学微流控芯片的制备方法 公开/授权日:2007-10-24