Invention Publication
CN1636995A 萘四羧酸二酰亚胺衍生物及电子照相光电导材料
失效 - 权利终止
- Patent Title: 萘四羧酸二酰亚胺衍生物及电子照相光电导材料
- Patent Title (English): Naphthalenetetracarboxylic acid diimide derivatives and electrophotographic photoconductive material using the derivatives
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Application No.: CN200410086955.XApplication Date: 2004-10-20
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Publication No.: CN1636995APublication Date: 2005-07-13
- Inventor: 金范俊 , 横田三郎 , 连卿烈 , 李桓求 , 金承柱
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 贾静环; 宋莉
- Priority: 83035/2003 2003.11.21 KR
- Main IPC: C07D471/06
- IPC: C07D471/06 ; G03G5/06
Abstract:
本发明披露萘四羧酸二酰亚胺衍生物和包含该萘四羧酸二酰亚胺衍生物的电子照相光电导材料。萘四羧酸二酰亚胺衍生物具有下面通式所示的结构，其中R1和R2各自独立地选自取代或未取代的C1－C20烷基、取代或未取代的C1－C20烷氧基、取代或未取代的C6－C30芳基、取代或未取代的C7－C30芳烷基和卤素。电子照相光电导材料包括作为电子转移材料的萘四羧酸二酰亚胺衍生物。
Public/Granted literature
- CN1324027C 萘四羧酸二酰亚胺衍生物及电子照相光电导材料 Public/Granted day:2007-07-04
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