Invention Publication
CN1624930A 场效应晶体管、集成电路及制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 场效应晶体管、集成电路及制造方法
- Patent Title (English): Field effect transistor, integrated circuit and manufacturing method
-
Application No.: CN200410086119.1Application Date: 2004-10-19
-
Publication No.: CN1624930APublication Date: 2005-06-08
- Inventor: 小西里尔·卡伯拉尔 , 欧麦·H·多库玛斯 , 奥莱格·格鲁斯切科夫
- Applicant: 国际商业机器公司
- Applicant Address: 美国纽约
- Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee Address: 美国纽约
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 付建军
- Priority: 10/605,769 2003.10.24 US
- Main IPC: H01L29/772
- IPC: H01L29/772 ; H01L27/092 ; H01L27/12 ; H01L21/336 ; H01L21/8238 ; H01L21/84
Abstract:
本发明涉及一种场效应晶体管(FET)，包括该FET的集成电路(IC)芯片和制造这种FET的方法。该FET具有一个器件沟道、一个位于器件沟道上方的栅极以及一个位于薄沟道的所述每一端处的掺杂的源极/漏极延伸部分。一部分低电阻材料层(例如硅化物层)设置在源极/漏极延伸部分上。在掺杂延伸部分上的部分侧向直接与掺杂的源极/漏极延伸部分相接触。栅极上的任何低电阻材料层与源极/漏极延伸部分上的低电阻材料部分隔离开。
Public/Granted literature
- CN100369262C 场效应晶体管、集成电路及制造方法 Public/Granted day:2008-02-13
Information query
IPC分类:
