发明授权
- 专利标题: 偏移结合的多芯片半导体器件
- 专利标题(英): Offset-bonded, multi-chip semiconductor device
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申请号: CN200410097385.4申请日: 2004-11-29
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公开(公告)号: CN1622326B公开(公告)日: 2010-07-07
- 发明人: 川野连也 , 松井聪
- 申请人: 恩益禧电子股份有限公司
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 恩益禧电子股份有限公司
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 穆德骏; 陆弋
- 优先权: 2003-400105 2003.11.28 JP; 2004-317903 2004.11.01 JP
- 主分类号: H01L25/00
- IPC分类号: H01L25/00
摘要:
本发明的目的在于以高可靠性的方式结合下部芯片和上部芯片,同时通过相对下部芯片偏移该上部芯片保证用于外部连接引脚区域的足够面积。基板(2)具有布置在其一个表面上的凸起(1),并具有贴装在其另一表面上的第一芯片(3)。当相对第一芯片(3)平行偏移第二芯片(4)时,通过凸起(5、6)结合第二芯片(4)到第一芯片(3)。在第一芯片(3)和第二芯片(4)的结合状态中,第一芯片(3)的一部分和第二芯片(4)的一部分重叠而二者的中心不对准。第二芯片(4)的重心落在第一芯片(3)和第二芯片(4)之间的最外面的凸起所包围的区域内。
公开/授权文献
- CN1622326A 偏移结合的多芯片半导体器件 公开/授权日:2005-06-01
IPC分类: