发明公开
- 专利标题: 一种生长立方织构氧化镍隔离层的方法
- 专利标题(英): Process of growing stereo texture nickel oxide isolation layer
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申请号: CN200310101681.2申请日: 2003-10-24
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公开(公告)号: CN1609006A公开(公告)日: 2005-04-27
- 发明人: 杨坚 , 刘慧舟 , 古宏伟
- 申请人: 北京有色金属研究总院
- 申请人地址: 北京市新街口外大街2号
- 专利权人: 北京有色金属研究总院
- 当前专利权人: 有研工程技术研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市新街口外大街2号
- 代理机构: 北京北新智诚知识产权代理有限公司
- 代理商 程凤儒
- 主分类号: C01G53/04
- IPC分类号: C01G53/04 ; H01L39/00
摘要:
本发明公开了一种生长立方织构氧化镍隔离层的方法。它主要为采用一种简单的操作手段,在立方织构金属镍表面,通过氧化外延生长立方织构氧化镍隔离层。其方法是将具有高度立方织构金属镍片经清洁处理,将其置于1100-1250℃高温炉中,空气环境氧化3-30分钟。在立方织构金属镍表面获得具有高度立方织构的氧化镍层。它主要用于高温超导涂层导体隔离层。
公开/授权文献
- CN1309661C 一种生长立方织构氧化镍隔离层的方法 公开/授权日:2007-04-11
IPC分类: