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发明授权
CN1605117B 具有对氮化物肩部高度敏感性的自对准接触蚀刻 失效 - 权利终止

具有对氮化物肩部高度敏感性的自对准接触蚀刻
摘要：
一种蚀刻半导体和介电质基板的方法和装置，是利用具有化学式CaFb的第一气体和具有化学式CxHyFz的第二气体的混合为主的等离子体，其中a/b≥2/3，且其中x/z≥1/2。此混合气体可在磁性增强反应式离子反应室中维持较低或中间程度的等离子体密度以提供绝佳角落镀层选择性，光刻胶层选择性，底部镀层选择性，及外部轮廓和底部特征尺寸控制的工艺。第一和第二气体的分配比例可在蚀刻时加以改变以提供蚀刻未掺杂氧化层薄膜或在此类薄膜上提供蚀刻中止的等离子体。
摘要（英）：

A method and apparatus are provided for etching semiconductor and dielectric substrates through the use of plasmas based on mixtures of a first gas having the formula CaFb, and a second gas having theformula CxHyFz, wherein a/b >/= 2/3, and wherein x/z >/= 1/2. The mixtures may be used in low or medium density plasmas sustained in a magnetically enhanced reactive ion chamber to provide a processthat exhibits excellent corner layer selectivity, photo resist selectivity, under layer selectivity, and profile and bottom CD control. The percentages of the first and second gas may be varied duringetching to provide a plasma that etches undoped oxide films or to provide an etch stop on such films.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105 ......后处理
H01L21/311 .......绝缘层的刻蚀
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