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发明公开
CN1563510A 高稳定电光Q开关铌酸锂晶体及其制备方法 无效 - 撤回

高稳定电光Q开关铌酸锂晶体及其制备方法
摘要：
高稳定电光Q开关铌酸锂晶体，属于晶体材料技术领域。原料摩尔比为[Li2CO3]/[Nb2O5]＝48～58∶42～50，可掺杂钙、钡、锶、锌、铟、铁、钴、铜、锰、铈、镱、铬、钕或铒的氧化物中的一种或几种，在熔融状态下，利用提拉法生长。本发明的铌酸锂晶体所制作的电光Q开关具有良好的温度稳定性，即在环境温度－40℃和50℃的条件下及温度变化情况下，晶体的椭圆度系数、对比度系数及电光系数均不发生明显变化，在－40℃～50℃的温度区间均能实现稳定开关。本发明的方法易于得到大块优质单晶体。
摘要（英）：

High stabilized photoelectric Q switch lithium niobate crystal belongs to crystal material technology field. The mole ratio of the raw material is [Li2CO3] /ú�Nb2O5ú¦=48-58:42-50 doped with one or several oxides of Ca, Ba, Sr, Zn, In, Fe, Co, Cu, Mn, Ce, Y, Cr, Na or Er. The crystal is grown by a pulling method under melted state having fine temperature stability which dow not change much under - 40deg. C and 50 deg. C.

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