发明授权
CN1234600C 高量子产率碲化镉量子点的控温控压微波合成方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 高量子产率碲化镉量子点的控温控压微波合成方法
- 专利标题(英): Temperature and pressure controlled microwave synthetic method of high quantum yield cadmium telluride quantum point
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申请号: CN200410015681.5申请日: 2004-01-08
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公开(公告)号: CN1234600C公开(公告)日: 2006-01-04
- 发明人: 任吉存 , 钱惠锋 , 李良
- 申请人: 上海交通大学
- 申请人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 专利权人: 上海交通大学
- 当前专利权人: 上海交通大学
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 代理机构: 上海交达专利事务所
- 代理商 毛翠莹
- 主分类号: C01B19/04
- IPC分类号: C01B19/04 ; C01G11/00
摘要:
一种高量子产率碲化镉量子点的控温控压微波合成方法,以水为溶剂,将镉盐或镉的氧化物与水溶性巯基化合物混合,注入采用硼氢化钠或硼氢化钾与碲粉反应生成的碲氢化钠或碲氢化钾,得到碲化镉CdTe前体溶液,然后将此溶液置于密闭的聚四氟乙烯罐中,在可控温和可控压的微波反应器中反应,迅速合成CdTe荧光量子点。本发明方法操作简单,条件温和,成本低,合成产物CdTe具有水溶性和稳定性好,荧光量子产率高,发射光谱可调,易与生物大分子连接等特点。
公开/授权文献
- CN1556041A 高量子产率碲化镉量子点的控温控压微波合成方法 公开/授权日:2004-12-22