Invention Publication
- Patent Title: 热电半导体材料,及其制造方法和用该材料的热电微型组件及热锻造方法
- Patent Title (English): Thermoelectric semiconductor material, manufacture process therefor, and method of hot forging thermoelectric module using the same
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Application No.: CN97198779.3Application Date: 1997-09-16
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Publication No.: CN1233347APublication Date: 1999-10-27
- Inventor: 福田克史 , 佐藤泰德 , 梶原健
- Applicant: 株式会社小松制作所 , 小松电子株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 株式会社小松制作所,小松电子株式会社
- Current Assignee: 株式会社小松制作所,小松电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 黄永奎
- Priority: 243811/96 1996.09.13 JP
- International Application: PCT/JP1997/03263 1997.09.16
- International Announcement: WO1998/11612 JA 1998.03.19
- Date entered country: 1999-04-14
- Main IPC: H01L35/34
- IPC: H01L35/34 ; H01L35/16
Abstract:
本发明的目的是提供一种具有充分强度与性能的、制造成品合格率高的热电半导体材料。本发明的特征是通过热锻造具有菱形结构(六面体晶体结构)的热电半导体粉末烧结材料并使其塑性变形,使粉末烧结组织的晶粒或构成晶粒的亚晶粒依性能性指数优良的结晶方位取向的方式而形成。
Public/Granted literature
- CN1184701C 热电半导体材料,及其制造方法和用该材料的热电微型组件及热锻造方法 Public/Granted day:2005-01-12
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IPC分类:
