发明公开
CN1213187A 光电器件,其制备方法,和氧化锌薄膜
失效 - 权利终止
- 专利标题： 光电器件,其制备方法,和氧化锌薄膜
- 专利标题（英）： Photovaltaic device, process for production thereof, and zinc oxide thin film
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申请号： CN98119801.5申请日： 1998-07-24
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公开(公告)号： CN1213187A公开(公告)日： 1999-04-07
- 发明人: 佐野政史
- 申请人： 佳能株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 佳能株式会社
- 当前专利权人： 佳能株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 龙传红
- 优先权： 200122/97 1997.07.25 JP
- 主分类号： H01L31/04
- IPC分类号： H01L31/04 ; H01L31/0376 ; H01L31/18
摘要：
提供一种光电器件,包括基体上按序迭层的背反射层,氧化锌层和半导体层,其中氧化锌层包括一种碳水化合物。碳水化合物含量优选范围为1μg/cm3－100mg/cm3。由此,氧化锌层可以无异常生长地形成,具有粗糙表面,以取得足够的光约束效应,光电器件在耐久性和光电转换效率方面得到了改善。
公开/授权文献
- CN1140932C 氧化锌薄膜、含有其的光电器件及它们的制备方法 公开/授权日：2004-03-03
IPC分类:
