本公开提供了一种掩膜结构的形成方法，该方法包括：形成第一掩膜层、第二掩膜层和第三掩膜层；图案化位于阵列区和标记区的第三掩膜层和第二掩膜层，得到具有多个第一开口和多个第二开口的第二叠层结构，各第一开口和各第二开口贯穿剩余第三掩膜层并延伸至第二掩膜层的内部，各第一开口在衬底上的正投影位于阵列区，各第二开口在衬底上的正投影位于标记区；形成第四掩膜层，在阵列区控制第四掩膜层的表面与第三掩膜层的表面齐平；刻蚀第四掩膜层以及第二叠层结构，在标记区形成标记图案。本公开提供的掩膜结构，消除了工艺缺陷导致的标记形成缺陷问题，同时减少了形成标记所需的掩膜数量，提高了器件的形成质量，降低了成本。