Invention Publication
- Patent Title: 一种抗电解质干扰的固态汞离子电极、制备及使用方法
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Application No.: CN202411308122.7Application Date: 2024-09-19
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Publication No.: CN119198859APublication Date: 2024-12-27
- Inventor: 张锋 , 杨子涵 , 杜昊 , 韩沉花 , 章春芳 , 陶春辉 , 叶瑛 , 张健 , 金波 , 杨灿军
- Applicant: 浙江大学
- Applicant Address: 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- Assignee: 浙江大学
- Current Assignee: 浙江大学
- Current Assignee Address: 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- Agency: 杭州求是专利事务所有限公司
- Agent 傅朝栋; 张法高
- Main IPC: G01N27/30
- IPC: G01N27/30 ; G01N27/26 ; G01N27/333

Abstract:
本发明公开了一种抗电解质干扰的固态汞离子电极、制备及使用方法,属于电极制备技术领域。该电极从内向外依次为作为基材的金丝、金汞齐过渡传导层、汞/硒化汞敏感膜或汞/硫化汞敏感膜和纳米微孔聚氯乙烯膜。首先采用电镀法或者浸泡法在金丝表面形成金汞齐过渡传导层;浸入硒化钠或硫化钠溶液中,在表面形成汞/硒化汞敏感膜或汞/硫化汞敏感膜,得到汞离子电极胚;汞离子电极胚垂直蘸取成膜剂中,将探测端朝上直立静置,使得汞离子电极胚表面生成纳米微孔聚氯乙烯膜;最后洗涤去除残留的成膜剂,干燥后得到抗电解质干扰的固态汞离子电极。该电极结构坚固、体积小巧,与参比电极配套使用,对待测溶液中的汞离子响应灵敏。
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