本公开实施例涉及一种光掩膜和曝光显影的方法。该光掩膜用于在基底表面由正性光刻胶构成的光刻胶膜层上形成光刻图形，包括：第一子光掩膜和第二子光掩膜；第一子光掩膜具有第一主图形区和第一缝合区，第一缝合区包括第一遮挡从部和第一子图形区，第一遮挡从部用于遮挡光线，防止使用第一子光掩膜曝光显影时光线照射到第一遮挡从部在光刻胶膜层上的第一投影区域；第二子光掩膜中形成有第二遮挡主部，所述第二遮挡主部在光刻胶膜层上的第二投影区域覆盖所述第一投影区域，以于第一投影区域对应的光刻胶膜层上形成光刻图形。消除了图形衍射、光线折射对第一投影区域形成的光刻图形的影响。