本申请实施例提供了一种存储单元、存储器及其制造方法、电子设备。该存储单元包括读晶体管和写晶体管，其中读晶体管为双栅晶体管，读晶体管包括第一栅极、第二栅极、第一源/漏极和第二源/漏极；第一栅极用于与读取字线电连接；第一源/漏极用于与参考电压端电连接；写晶体管包括第三源/漏极和第四源/漏极；第三源/漏极与第二栅极电连接；第四源/漏极、第二源/漏极均用于与位线电连接。本申请读晶体管为平面型晶体管，写晶体管为垂直型晶体管，读晶体管和写晶体管在垂直衬底的方向上堆叠，能够提升存储单元的集成密度。