Invention Publication
- Patent Title: 磁性隧道结及磁性存储单元
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Application No.: CN202310582712.8Application Date: 2023-05-19
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Publication No.: CN119012896APublication Date: 2024-11-22
- Inventor: 孙一慧 , 高扬 , 陈若飞
- Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
- Applicant Address: 浙江省杭州市临安区青山湖街道崇文路1718号
- Assignee: 浙江驰拓科技有限公司
- Current Assignee: 浙江驰拓科技有限公司
- Current Assignee Address: 浙江省杭州市临安区青山湖街道崇文路1718号
- Agency: 北京兰亭信通知识产权代理有限公司
- Agent 孙峰芳
- Main IPC: H10N50/10
- IPC: H10N50/10 ; H10N50/85 ; H10N50/80 ; H10B61/00 ; G11C11/16
Abstract:
本发明提供一种磁性隧道结及磁性存储单元，包括：参考层、势垒层、自由层和氧化物覆盖层，自由层包括磁性记录层以及沿着磁性记录层远离势垒层的方向依次层叠的一个或多个复合层结构，复合层结构包括氧化物传导层和界面能增强层，其中距离磁性记录层最近的一个氧化物传导层与磁性记录层相邻，氧化物传导层与界面能增强层之间的界面用于提高整个自由层的界面垂直磁各向异性能密度。本发明能够提高小尺寸磁性隧道结的数据保持时间。
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