- 专利标题： 半导体结构和制造半导体结构的方法
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申请号： CN202380031522.5申请日： 2023-03-29
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公开(公告)号： CN118974956A公开(公告)日： 2024-11-15
- 发明人: G·巴辛 , 陶志民 , 林志忠 , 罗志荣
- 申请人： 亮锐有限责任公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 亮锐有限责任公司
- 当前专利权人： 亮锐有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司 72001专利代理师李静岚吕传奇
- 优先权： 63/325446 2022.03.30 US
- 国际申请： PCT/US2023/016710 2023.03.29
- 国际公布： WO2023/192370 EN 2023.10.05
- 进入国家日期： 2024-09-27
- 主分类号： H01L33/54
- IPC分类号： H01L33/54 ; H01L33/62 ; H01L33/60 ; H01L33/48 ; H01L33/22 ; H01L23/00 ; H01L25/075 ; F21K9/00
摘要：
半导体器件通过电触点和设置在电触点上的至少一个凸块电连接到电源。半导体器件可以是CMOS晶片上的LED，电触点与其间隔分开并设置在晶片上。半导体器件和电触点具有设置为围绕它们的侧面涂层材料，并且至少一个凸块可以堆叠以达到或几乎达到侧面涂层材料的顶表面。这允许通过容易接近的(多个)凸块将半导体器件引线接合到外部电源，凸块的顶表面被侧面涂层材料暴露。
IPC分类:
