Invention Publication
- Patent Title: 一种高真空半连续化制备高纯铟的提纯装置及方法
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Application No.: CN202411170577.7Application Date: 2024-08-26
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Publication No.: CN118957317APublication Date: 2024-11-15
- Inventor: 谢剑波 , 张于胜 , 吴金平 , 王旭彪 , 杨薇弘 , 谢龙飞 , 刘承泽
- Applicant: 西安稀有金属材料研究院有限公司
- Applicant Address: 陕西省西安市高新区天谷七路996号西安国家数字出版基地C座2层
- Assignee: 西安稀有金属材料研究院有限公司
- Current Assignee: 西安稀有金属材料研究院有限公司
- Current Assignee Address: 陕西省西安市高新区天谷七路996号西安国家数字出版基地C座2层
- Agency: 西安创知专利事务所
- Agent 魏法祥
- Main IPC: C22B58/00
- IPC: C22B58/00 ; C22B9/02 ; C22B9/04 ; G01G19/62 ; G01G19/52 ; G01N5/00

Abstract:
本发明公开了一种高真空半连续化制备高纯铟的提纯装置,包括由左半壳和右半壳组成的炉体,炉体中安装有蒸发组件、收集组件和冷却组件,另外,本发明还提供了一种高真空半连续化制备高纯铟的方法,该方法将待处理的铟金属加入蒸发组件进行加热蒸发,然后通过冷却组件冷却,最后通过收集组件进行收集,实现高真空半连续化制备高纯铟。本发明通过设置蒸发坩埚和加热线圈便于对待处理的铟金属进行加热蒸发形成高温铟蒸气,通过设置塔盘汇聚高温铟蒸气进入冷凝桶并通过冷凝桶冷却为液态金属铟,通过导流管将冷凝的液态金属铟导入收集坩埚完成铟的提纯,高真空半连续化制备出大量的高纯铟金属,缩短了提纯周期,生产效率高,生产成本低。
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