Invention Publication
CN118899010A 存储器装置及其读取方法
审中-实审
- Patent Title: 存储器装置及其读取方法
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Application No.: CN202311644243.4Application Date: 2023-12-01
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Publication No.: CN118899010APublication Date: 2024-11-05
- Inventor: 周佑亮 , 蔡文哲 , 吕君章
- Applicant: 旺宏电子股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- Assignee: 旺宏电子股份有限公司
- Current Assignee: 旺宏电子股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 李婉婉
- Priority: 18/519,201 20231127 US 18/519,201 20231127 US
- Main IPC: G11C8/08
- IPC: G11C8/08 ; G11C7/10 ; G11C7/22 ; G11C16/04 ; G11C16/08 ; G11C16/34

Abstract:
本公开提供一种存储器装置及其读取方法。存储器装置至少包括一第一字线、一第二字线及一第三字线。读取方法包括以下步骤。执行一读取程序,以读取第一字线的数个存储单元。响应于至少一存储单元发生读取错误,执行一识别程序。对存储单元执行一重读程序。识别程序包括:施加第一导通电压于第一字线;在施加第一导通电压于第一字线时,施加一识别电压于第二字线及第三字线的至少其中之一。重读程序包括:施加一第二读取电压于第一字线;在第二读取电压施加于第一字线时,施加一第二导通电压于第二字线及一第三导通电压于第三字线。
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