Invention Grant
CN1188738C 制作至少一个薄膜晶体管的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 制作至少一个薄膜晶体管的方法
- Patent Title (English): Method for producing at least one thin film transistor
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Application No.: CN97126116.4Application Date: 1997-12-09
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Publication No.: CN1188738CPublication Date: 2005-02-09
- Inventor: 立崎舜平 , 小山润 , 尾形靖
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 叶恺东; 王忠忠
- Priority: 344574/1996 1996.12.09 JP; 287715/1997 1997.10.03 JP
- Main IPC: G02F1/136
- IPC: G02F1/136 ; H01L21/20
Abstract:
使用薄膜晶体管(TFT)获得具有高特性的激励电路一体型(单片型)的有源矩阵显示器件。通过在非晶质硅膜203中一边添加镍元素，一边进行加热处理使其结晶化，并且还在含有卤素元素的氧化性气氛中进行加热处理，形成热氧化膜209。此时，可改善结晶性、对镍元素去气。用这样得到的硅结晶膜制作TFT，用此构成各种电路，能够获得驱动点数为5万以上300万以下的有源矩阵电路的数据激励器电路。
Public/Granted literature
- CN1188243A 有源矩阵显示器件及其制作方法 Public/Granted day:1998-07-22
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IPC分类:
