发明公开
- 专利标题: 光电器件及其制备方法、显示装置
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申请号: CN202310474507.X申请日: 2023-04-27
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公开(公告)号: CN118870848A公开(公告)日: 2024-10-29
- 发明人: 姚欣鹏
- 申请人: 广东聚华新型显示研究院 , TCL科技集团股份有限公司
- 申请人地址: 广东省广州市科学城光谱中路11号云升科学园1号楼;
- 专利权人: 广东聚华新型显示研究院,TCL科技集团股份有限公司
- 当前专利权人: 广东聚华新型显示研究院,TCL科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省广州市科学城光谱中路11号云升科学园1号楼;
- 代理机构: 深圳紫藤知识产权代理有限公司
- 代理商 方艳丽
- 主分类号: H10K50/15
- IPC分类号: H10K50/15 ; H10K50/155 ; H10K71/60 ; H10K71/00 ; C01B32/182 ; C01G39/06
摘要:
本申请公开了一种光电器件及其制备方法、显示装置,所述光电器件包括层叠的第一电极、空穴传输层和第二电极,所述空穴传输层的材料包括Mxene/金属硫化物复合材料。本申请所述的光电器件的空穴传输层的材料包括Mxene/金属硫化物复合材料,其中,Mxene具有优异的金属导电性、可调节的功函数以及丰富的表面活性基团,金属硫化物中的金属离子可以与Mxene的表面活性基团之间产生静电吸附作用,从而有效抑制Mxene的表面活性基团的电荷局域化,实现Mxene的表面电荷离域化,可以有效提高Mxene的空穴传输能力,进而提高光电器件的寿命。