发明公开
- 专利标题: 高强高导TiB2/Cu复合材料及其原位液态成型方法
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申请号: CN202410819361.2申请日: 2024-06-24
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公开(公告)号: CN118792538A公开(公告)日: 2024-10-18
- 发明人: 钟昊睿 , 杨甜 , 张兴德 , 曹飞 , 姜伊辉 , 梁淑华
- 申请人: 西安理工大学
- 申请人地址: 陕西省西安市碑林区金花南路5号
- 专利权人: 西安理工大学
- 当前专利权人: 西安理工大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市碑林区金花南路5号
- 代理机构: 西安弘理专利事务所
- 代理商 王奇
- 主分类号: C22C1/10
- IPC分类号: C22C1/10 ; C22C1/03 ; C22C32/00 ; C22C9/00 ; C22F1/08 ; B22D7/06 ; F27B14/10 ; F27B14/04 ; H01B1/02
摘要:
本发明公开了高强高导TiB2/Cu复合材料及其原位液态成型方法,按照TiB2/Cu复合材料中TiB 2含量为1~3wt.%分别称取Cu‑Ti中间合金、Cu‑B中间合金和纯铜,将称取的各组分放入双腔坩埚中,Cu‑Ti中间合金和Cu‑B中间合金分别放入两个腔体中,纯铜也放入两个腔体中,然后置于真空感应熔炼炉内进行熔炼,获得金属液,同时拔开双腔坩埚两个出液口的塞子,将两个腔体中金属液通过汇流器浇铸入梯度水冷铜模中,即获得铸态TiB2/Cu复合材料,最后进行轧制,即获得高强高导TiB2/Cu复合材料;本发明阻断了TiB2颗粒在熔炼过程中生成,解决了现有TiB2/Cu复合材料中成分偏析的问题。