Invention Publication
- Patent Title: 具有位单元功率增强的存储器
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Application No.: CN202380023837.5Application Date: 2023-03-16
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Publication No.: CN118765416APublication Date: 2024-10-11
- Inventor: 郑春明 , X·陈 , C-J·陈 , A·C·科塔 , D·赛思
- Applicant: 高通股份有限公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 高通股份有限公司
- Current Assignee: 高通股份有限公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 姚宗妮
- Priority: 17/657,231 20220330 US
- International Application: PCT/US2023/015374 2023.03.16
- International Announcement: WO2023/192032 EN 2023.10.05
- Date entered country: 2024-08-27
- Main IPC: G11C5/14
- IPC: G11C5/14 ; G11C11/419 ; G11C7/10
Abstract:
提供了一种存储器，该存储器包括位单元VDD增强以增加读取裕度。在一些具体实施中，用于位单元VDD的正向增强可由也用于写入驱动器的负向增强的电容器提供。
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