发明公开
- 专利标题: 一种硅碳负极材料及其制备方法和应用
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申请号: CN202410924643.9申请日: 2024-07-11
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公开(公告)号: CN118754115A公开(公告)日: 2024-10-11
- 发明人: 李绍元 , 郑秀英 , 席风硕 , 马文会 , 魏奎先 , 陆继军 , 童仲秋 , 陈正杰 , 伍继君 , 万小涵 , 于洁
- 申请人: 昆明理工大学
- 申请人地址: 云南省昆明市五华区文昌路68号
- 专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市五华区文昌路68号
- 代理机构: 北京睿智保诚专利代理事务所
- 代理商 刘刚
- 主分类号: C01B32/20
- IPC分类号: C01B32/20 ; H01M4/38 ; H01M4/62 ; H01M4/36 ; H01M10/0525 ; C01B32/05 ; C01B33/037
摘要:
本发明涉及电池负极技术领域,尤其涉及一种硅碳负极材料及其制备方法和应用。在本发明所述制备方法中需先对微晶石墨进行改性得到改性石墨,再将所述改性微晶石墨、硅废料悬浮液与碳源结合,进行自组装后进行热解,制得所述硅碳负极材料。该材料具有高振实密度、高首次库伦效率及高循环性能,可大幅度减缓充放电过程中硅材料的自生体积膨胀,提高电池的循环稳定性。且本发明对原料要求低,设备要求简单;所用废硅料及微晶石墨价格低廉,可低成本连续工业化生产状硅碳负极材料,为硅基负极材料的大规模生产提供了一个潜在的方案。