发明公开
- 专利标题： 半导体装置及操作半导体装置的方法
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申请号： CN202311662981.1申请日： 2023-12-06
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公开(公告)号： CN118748029A公开(公告)日： 2024-10-08
- 发明人: 横山佳巧
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国
- 优先权： 18/331,633 20230608 US
- 主分类号： G11C11/413
- IPC分类号： G11C11/413 ; G11C11/416 ; G11C11/419 ; G11C29/10 ; H10B10/10 ; H10B10/00
摘要：
揭示一种半导体装置及操作半导体装置的方法。在一个态样中，该半导体装置包括一记忆体电路，该记忆体电路用以接收一时脉信号且产生一输出信号。该记忆体电路包括一定时延迟电路。该半导体装置包括包含一阴影锁存器的一可测试性设计(DFT)电路。该DFT电路用以接收该定时延迟电路的一输出且经由该阴影锁存器产生一DFT输出信号。该输出信号的一第一输出维持约等于该DFT输出信号的一第二输出维持。
IPC分类:
