发明公开
- 专利标题: 一种制备四英寸超平整单晶六方氮化硼晶圆的方法
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申请号: CN202410836113.9申请日: 2024-06-26
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公开(公告)号: CN118745594A公开(公告)日: 2024-10-08
- 发明人: 彭海琳 , 王雅妮 , 王嘉豪
- 申请人: 北京大学
- 申请人地址: 北京市海淀区颐和园路5号
- 专利权人: 北京大学
- 当前专利权人: 北京大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区颐和园路5号
- 代理机构: 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 任晓云
- 主分类号: C30B25/00
- IPC分类号: C30B25/00 ; C30B29/40 ; C23C14/35 ; C23C14/18 ; C23C14/58
摘要:
本发明公开了一种制备四英寸超平整单晶六方氮化硼晶圆的方法,属于材料领域。本发明的单晶六方氮化硼晶圆的制备方法,包括如下步骤:(1)采用磁控溅射的方法在蓝宝石上溅射一层镍膜,然后在镍膜上再溅射一层铜膜,得到铜/镍/蓝宝石;(2)将所述铜/镍/蓝宝石进行高温退火处理,得到单晶铜镍合金晶圆;(3)采用低压化学气相沉积在所述单晶铜镍合金晶圆上生长六方氮化硼,得到所述单晶六方氮化硼晶圆。本发明制备得到的六方氮化硼表面非常平整、单晶性高、无褶皱、封装性好,在通讯、电子、二维材料器件以及金属保护层等领域具有非常广泛的应用前景。