本发明公开了一种低应力太赫兹RF MEMS开关，属于射频微机电系统技术领域，包括：背覆金属；衬底；共面波导信号线；共面波导地；下电极；梁锚点；上金属梁锚点；上金属梁，和所述上金属梁锚点通过圆弧相接；上金属电极；信号桥；裙边梁；电极介质层；直流馈电结构；空气桥。本发明达到了技术效果：使用裙边梁结构，开关下拉变形后应力分布均匀，减小开关翘曲变形；梁中通过圆弧相接，无应力集中，具有低驱动电压；圆弧相接增大了相接处长度，减小开关循环造成的断裂风险，提高开关疲劳寿命；采用复合梁结构，使得电极和信号桥分离，减少直流电对射频信号的干扰；开关在太赫兹频段具有较好隔离度和低插入损耗。