- 专利标题： p-NiO/n-Ga2O3空穴超注入低电阻垂直型场效应晶体管及制备方法
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申请号： CN202410872166.6申请日： 2024-07-01
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公开(公告)号： CN118610260A公开(公告)日： 2024-09-06
- 发明人: 董鹏飞 , 韩乐 , 周弘 , 张进成 , 刘志宏 , 张苇杭 , 冯欣
- 申请人： 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
- 申请人地址： 广东省广州市新龙镇知明路83号;
- 专利权人： 西安电子科技大学广州研究院,西安电子科技大学
- 当前专利权人： 西安电子科技大学广州研究院,西安电子科技大学
- 当前专利权人地址： 广东省广州市新龙镇知明路83号;
- 代理机构： 陕西电子工业专利中心
- 代理商 程晓霞
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L21/336
摘要：
本发明公开了一种p‑NiO/n‑Ga2O3空穴超注入低电阻垂直型场效应晶体管及制备方法，解决了现有技术中Ga2O3场效应管导通电阻过大与耐压不足的问题。本发明自下而上包括：漏电极、衬底、凸台结构的外延层、覆盖在外延层台阶上表面以及凸台侧壁的Al2O3层、覆盖在Al2O3层外侧的栅极金属层、覆盖在栅极金属层外侧的SiO2层、源电极，外延层凸出部分表面与源电极之间设有NiO薄膜层，NiO薄膜层与n‑Ga2O3外延层形成异质结。制备步骤有：预处理衬底、制作漏极、刻蚀外延层、淀积Al2O3层与栅极金属层、制作p‑NiO/n‑Ga2O3异质结、淀积SiO2层、制作源电极。本发明凭借p‑NiO/n‑Ga2O3异质结产生的空穴超注入效应，显著提高器件耐压，大幅降低导通电阻，在大功率、军工等领域应用前景广阔。
IPC分类:
