公开了在制造基于纳米带的晶体管期间采用蚀刻停止层来辅助子鳍状物去除的制造方法。示例制造方法包括在子鳍状物上方提供纳米带堆叠体，其中纳米带和子鳍状物包括一种或多种半导体材料；在所述子鳍状物的顶部上方和所述纳米带的部分周围沉积蚀刻停止层；从所述纳米带的所述部分周围去除所述蚀刻停止层；在所述纳米带的所述部分周围以及在所述子鳍状物的所述顶部上方的所述蚀刻停止层上方提供栅极电介质材料；在所述纳米带的所述部分周围沉积栅电极材料；以及执行蚀刻以去除所述子鳍状物而基本上不去除所述蚀刻停止层。