发明公开
- 专利标题: 一种应用于超薄单晶硅片抛光制程的水性抛光蜡及其制备方法
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申请号: CN202410602304.9申请日: 2024-05-15
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公开(公告)号: CN118546610A公开(公告)日: 2024-08-27
- 发明人: 侯军 , 李传强 , 褚雨露 , 王庆
- 申请人: 浙江奥首材料科技有限公司
- 申请人地址: 浙江省衢州市柯城区杜鹃路36号
- 专利权人: 浙江奥首材料科技有限公司
- 当前专利权人: 浙江奥首材料科技有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省衢州市柯城区杜鹃路36号
- 代理机构: 深圳云海专利代理事务所
- 代理商 王天桂
- 主分类号: C09G1/16
- IPC分类号: C09G1/16 ; H01L21/02
摘要:
本发明涉及一种应用于超薄单晶硅片抛光制程的水性抛光蜡及其制备方法。所述的水性抛光蜡按照重量份计算,包括如下组分:去离子水40‑60份;亲水性溶剂10‑20份;水性增强剂1‑5份;水性粘结剂1‑10份;分散剂1‑5份;pH调节剂1‑10份;流平剂0.1‑5份;本发明水性增强剂与水性粘结剂复合兼具无机纳米增强剂的机械强度和水性粘结剂的高粘度,保证硅片在抛光作业中不会出现滑片问题。阴离子聚合分散剂与氟碳改性流平剂能够保证水性增强剂分布均匀。本发明的水性抛光蜡受加工温度的影响较小,不易出现受热变形的问题,且主要溶剂是水,减少了挥发性有机物的排放。