发明公开
CN118497664A 掩膜版及其制备方法
审中-实审
- 专利标题: 掩膜版及其制备方法
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申请号: CN202410370025.4申请日: 2024-03-28
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公开(公告)号: CN118497664A公开(公告)日: 2024-08-16
- 发明人: 张峰杰 , 王伟杰 , 张可忆 , 薛金祥 , 孙中元
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方技术开发有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方技术开发有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
- 代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 魏艳新; 彭瑞欣
- 主分类号: C23C14/04
- IPC分类号: C23C14/04 ; C23C14/24 ; H10K71/16
摘要:
本公开属于显示面板制备技术领域,提供了一种掩膜版及其制备方法。本公开提供的掩膜版,包括:第一掩膜层和第二掩膜层。其中,第一掩膜层开设有贯穿第一掩膜层的多个容纳孔;第二掩膜层包括多个掩膜部,每个掩膜部填充在一个容纳孔中。掩膜版还开设有多个掩膜通孔,掩膜通孔贯穿第一掩膜层和/或掩膜部,第一掩膜层和所述第二掩膜层的热膨胀系数不同。本公开可以有效通过热膨胀系数低的一者限制热膨胀系数高的一者的膨胀度,从而进一步减小或避免掩模版上的掩膜通孔在温度升高的情况下产生位置偏移,以保证蒸镀工艺的准确度,同时也能避免热膨胀系数低的一者由于温度升高而产生弯曲甚至破裂。
IPC分类: