Invention Publication
- Patent Title: 一种晶体硅电池片衰减测试方法
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Application No.: CN202410689611.5Application Date: 2024-05-30
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Publication No.: CN118471845APublication Date: 2024-08-09
- Inventor: 王永泽 , 李志玲 , 田思 , 王云芳 , 李学健 , 张源 , 史金超 , 于波 , 麻超 , 刘莹 , 尚琪
- Applicant: 英利能源发展有限公司
- Applicant Address: 河北省保定市朝阳北大街3399号5号厂房227室
- Assignee: 英利能源发展有限公司
- Current Assignee: 英利能源发展有限公司
- Current Assignee Address: 河北省保定市朝阳北大街3399号5号厂房227室
- Agency: 北京盛询知识产权代理有限公司
- Agent 李珊华
- Main IPC: H01L21/66
- IPC: H01L21/66 ; H01L31/18
Abstract:
本发明公开了一种晶体硅电池片衰减测试方法，属于电池片衰减测试技术领域，包括：对电池片进行初始测试，生成初始测试结果；将完成初始测试的电池片放置在盐雾腐蚀箱中；对所述完成初始测试的电池片进行盐雾腐蚀，完成腐蚀后取出，获得腐蚀后电池片；对所述腐蚀后电池片进行测试，获得最终测试结果；基于所述初始测试结果和所述最终测试结果对晶体硅电池片的衰减进行判断，生成判断结果。
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IPC分类:
